Tranzystor PNP BC558
Tranzystory to jeden z najważniejszych wynalazków z dziedziny elektroniki. Został skonstruowany po raz pierwszy w 1947r. i od tamtego czasu zrewolucjonizował nasz świat.
Tranzystory pełnią integralną rolę w większości spotykanych obecnie układów elektronicznych. Procesory, pamięci, wyświetlacze LCD to tylko niektóre z nich.
Dane osobowe naszych klientów przetwarzamy wyłącznie w celu realizacji zamówienia
Zamówiony towar wysyłamy w przeciągu 2 dni roboczych
Możliwość zwrotu lub wymiany zakupionego produktu w przeciągu 14 dni od odbioru przesyłki
Kolejność wyprowadzeń (pinout) tranzystorów BC558
Zasada działania tranzystorów bipolarnych
Gdy napięcie pomiędzy bazą a emiterem nie przekracza ok.0,6V* tranzystor jest zamknięty, a prąd kolektora zerowy lub pomijalny. Taki stan tranzystora nazywamy stanem zatkania.
Po przekroczeniu napięcia 0,6V pomiędzy bazą a emiterem wchodzimy w stan pracy liniowej. W stanie takim prąd kolektora zwiększa się liniowo wraz ze wzrostem prądu bazy. Stąd mówi się, że tranzystory bipolarne są sterowane prądowo. O tym ile prąd kolektora, będzie większy od prądu bazy mówi nam współczynnik wzmocnienia β ( hfe), zgodnie ze wzorem Ic = β*Ib. W przypadku tranzystorów BC548 wzmocnienie wynosi między 110 a 800.
Zwiększając dalej prąd bazy tranzystor wejdzie w stan nasycenia - tzn. dalsze zwiększanie prądu bazy nie zwiększy prądu kolektora tak jak to wynikałoby ze wzmocnienia tranzystora. W stanie nasycenia napięcie kolektor-emiter jest bliskie zera. Jakie to będzie napięcie możemy sprawdzić w notach katalogowych - mówi nam to oznaczenie Ucesat (sat od saturation - nasycenie). Note katalogową można pobrać w zakładce załączniki.
* Wartość ok. 0,6V dotyczy tranzystorów opartych na krzemie. Nie mniej większość dzisiejszych tranzystorów dostępnych na rynku charakteryzuje się taką budową.
Różnica pomiędzy tranzystorami PNP a NPN
Tranzystorami bipolarnymi PNP i NPN steruje się w bardzo podobny sposób.
Zarówno w tranzystorach NPN jak i PNP włączamy tranzystor, gdy różnica napięcia baza-emiter przekroczy 0,6V.
Główna różnica polega na tym, że w przypadku tranzystorów PNP emiter łączymy do wyższego potencjału, więc tranzystor PNP załączamy zmniejszając napięcie na bazie, a nie zwiększając jak w przypadku tranzystorów NPN. Dlatego wartość Ube(on) w notach katalogowych tranzystorów podaje się z minusem.
Przykładowo, gdy emiter podłączyliśmy do 5V, to tranzystor zostanie włączony, gdy napięcie na bazie zejdzie poniżej ok. 4,4V, bo 5 V- 0,6V = 4,4V.
Uwaga! Napięcie mierzymy zawsze pomiędzy dwoma punktami (ponieważ napięcie to różnica potencjałów). Gdy elektronicy podają napięcie na jednym punkcie (np. napięcie na bazie, kolektorze itp.) to drugim punktem jest zawsze masa w układzie, ponieważ masa jest poziomem odniesienia w elektronice.
Budowa tranzystorów bipolarnych PNP
Tranzystory są elementami półprzewodnikowymi. Są zbudowane z trzech nałożonych na siebie warstw półprzewodników N i P. Stąd nazwa PNP.
Poniżej przedstawiamy ilustracje uproszczonej i rzeczywistej budowy tranzystorów PNP.
- Nazwa
- Tranzystor
- Typ tranzystora
- Bipolarny PNP
- Montaż
- Przewlekany (THT)
- Model
- BC558
- Prąd kolektora
- 100mA
- Napięcie kolektor-emiter
- 30V
- Obudowa
- TO-92