Tranzystor NPN BC548

Kolejność wyprowadzeń (pinout) tranzystorów BC548

Zasada działania tranzystorów bipolarnych

Gdy napięcie pomiędzy bazą a emiterem nie przekracza ok.0,6V* tranzystor jest zamknięty, a prąd kolektora zerowy lub pomijalny. Taki stan tranzystora nazywamy stanem zatkania.

Po przekroczeniu napięcia 0,6V pomiędzy bazą a emiterem wchodzimy w stan pracy liniowej. W stanie takim prąd kolektora zwiększa się liniowo wraz ze wzrostem prądu bazy. Stąd mówi się, że tranzystory bipolarne są sterowane prądowo. O tym ile prąd kolektora, będzie większy od prądu bazy mówi nam współczynnik wzmocnienia β ( h_fe), zgodnie ze wzorem Ic = β*Ib. W przypadku tranzystorów BC548 wzmocnienie wynosi między 110 a 800.

Zwiększając dalej prąd bazy tranzystor wejdzie w stan nasycenia - tzn. dalsze zwiększanie prądu bazy nie zwiększy prądu kolektora tak jak to wynikałoby ze wzmocnienia tranzystora. W stanie nasycenia napięcie kolektor-emiter jest bliskie zera. Jakie to będzie napięcie możemy sprawdzić w notach katalogowych - mówi nam to oznaczenie Ucesat (sat od saturation - nasycenie). Note katalogową można pobrać w zakładce załączniki.

* Wartość ok. 0,6V dotyczy tranzystorów opartych na krzemie. Nie mniej większość dzisiejszych tranzystorów dostępnych na rynku charakteryzuje się taką budową.

Poniżej przedstawiona została charakterystyka wejściowa tranzystora bipolarnego, przedstawiająca kiedy tranzystor zostaje otwarty.

Budowa tranzystorów bipolarnych NPN

Tranzystory są elementami półprzewodnikowymi. Są zbudowane z trzech nałożonych na siebie warstw półprzewodników N i P. Stąd nazwa NPN.
Poniżej przedstawiamy zdjęcie uproszczonej i rzeczywistej budowy tranzystorów NPN.